收藏本站
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SO-8
0.172
(4.369)
0.028
(0.711)
0.022
(0.559)
0.050
(1.270)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
www.vishay.com
22
Document Number: 72606
Revision: 21-Jan-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4705-D-EVB BOARD EVAL MOBILE SI4704/05-D50
SI4706-B20-GM IC FM RADIO TUNER 20-QFN
SI4712DY-T1-GE3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4731-D50-EVB BOARD EVAL SI4730/SI4731-D50
SI4731-D50-GM IC RADIO RECEIVER AM/FM 20-QFN
SI4737-C-EVB BOARD EVAL SI4737 VERSION C
SI4743-C-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4743-C
SI4770-A-EVB BOARD EVAL FOR CE AM/FM SI4770
相关代理商/技术参数
SI4654DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 28.6A 5.9W 4.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4660DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 25V 23.1A 5.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4660DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 23.1A 5.6W 5.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4662DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 18.6A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4662DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4666DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
SI4666DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25 Volts 16.5 Amps 5 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4668DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 25V 16.2A 5.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube